高純錫電解提純法
電解提純法:包括配制電解液和電解提純兩個過程。
配制電解液
有電化溶解和化學溶解兩種方法。電化溶解以精錫為陽極,套上滌綸袋,陰極為高純錫片,套上陰離子交換膜,在含硫酸11O~13Og/L溶液中通電溶解。錫在陽極上失去電子變成離子進入溶液,而錫離子不能在陰極析出,結(jié)果得到含錫8O~11Og/L的溶液?;瘜W溶解是用鹽酸溶液直接溶解精錫,用NaOH或NH4OH兩次中和溶液至pH2沉淀除去部分雜質(zhì),然后在pH為3~4.5時沉淀出Sn(OH)2,作為配制電解液的原料。
電解提純
在聚氯乙烯塑料電解槽中進行。陽極為特號錫,套上滌綸袋,陰極為高純錫始極片。電解液含Sn2+7O~8Og/t,、H2SO415O~16Og/L、膠1g/L、β萘酚1mg/L、Cl-2.5mg/L,在電流密度8O~1OOA/m2、槽電壓O.O8~O.15V、293~313K溫度條件下進行電解,產(chǎn)出的陰極錫經(jīng)洗滌后熔鑄成高純錫錠。
電解一真空揮發(fā)提純法由電解提純和真空揮發(fā)提純兩個過程組成。
電解提純
用特號錫作陽極,套上滌綸袋,陰極為高純錫。電解液用含H2SO45O%的溶液直接溶解精錫配制而成,成分(質(zhì)量濃度ρ/g?L-1)為Sn2+4O~6O、總酸12O、Na2SO43O~4O、膠l,β萘酚O.5mg/L,在室溫和1OOA/m2電流密度下電解得到陰極錫。陰極錫含鉛(3~5)×1O-4%。
真空揮發(fā)提純
主要目的是除鉛,并同時除去砷、銻、鉍等雜質(zhì)。真空揮發(fā)提純在真空感應電爐內(nèi)進行,將電解陰極錫置于電爐石墨坩堝中,開始抽真空至0.67Pa,通電升溫,在1423~1473K和0.13Pa條件下保溫1.5~2h,后澆注成錠。錫中含鉛可降到(O.4~O.5)×1O-4%。
編號:臺錫錫業(yè)廠 TTIN20110817(環(huán)保錫條,環(huán)保錫絲專業(yè)供應商)
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